Специалисты АЛРОСА получили патент за следующее изобретение:
снижение дефектности кристаллов - достигается за счет их нагрева в замкнутом объеме при достижении давления активного газа 1500 - 10000 атм с последующим периодическим его сбросом и поднятием, при этом нагрев ведут до 0,7 - 0,9 температуры фазового перехода кристалла, а периодический сброс и поднятие давления осуществляют одновременно с обработкой кристаллов ультрафиолетовым излучением в диапазоне 100 - 500 Вт со скоростью 5 Вт/мин. Одновременно с обработкой ультрафиолетовым излучением дополнительно осуществляют обработку ультразвуком, при этом давление активного газа, мощность ультрафиолетового излучения и частоту ультразвука изменяют в соответствии с законом гармонических колебаний. Такое воздействие на структуру кристаллов способствует улучшению структурного совершенства кристаллов путем удаления части дефектов.